抢占先机！『三星电子』预计本月下旬率先向『英伟达』交付HBM4(三星争夺战)

财联社2月9日讯（编辑 周子意）『三星电子』或将于本月下旬开始向『英伟达』交付其高带宽存储『芯片』HBM4，这将标志着全球首次HBM4大规模量产和出货。

业内消息人士透露，『三星电子』已决定在即将到来的农历新年假期（2月17日为农历初一）之后开始向『英伟达』供应HBM4产品。

据相关官员称，『三星电子』已完成『英伟达』HBM4的认证流程，并根据『英伟达』新的人工智能加速器（包括Vera Rubin平台）的发布计划，确定了交付时间表。

『英伟达』预计将在即将举行的GTC 2026大会上展示其下一代搭载三星HBM4的人工智能计算平台Vera Rubin。该大会定于3月16日至19日举行。

『英伟达』首席执行官黄仁勋在上个月的CES2026展会上表示，Vera Rubin已全面投入生产，这使得人们期待该平台将在2026年下半年推出。

领先行业标准

『三星电子』的HBM4在性能上实现了对行业标准的大幅超越，已超出行业标准机构联合电子设备工程委员会（JEDEC）设定的标准，被选入用于『英伟达』下一代人工智能平台。

在制造工艺上，三星在DRAM单元『芯片』上采用了1c工艺（第六代10纳米级DRAM技术），而基板『芯片』则采用4纳米代工厂工艺。

凭借这一工艺组合，三星HBM4的数据处理速度达到11.7千兆比特每秒（Gbps），超出JEDEC标准8 Gbps约37%，较上一代HBM3E的9.6 Gbps快22%。单堆栈存储带宽达到3 TB/s，是上一代产品的2.4倍。采用12层堆叠技术可提供36 GB容量，未来若采用16层堆叠，容量可扩展至48 GB。

在这种背景下，三星与其主要竞争对手SK海力士之间在向『英伟达』供应HBM4『芯片』方面的竞争预计将会加剧。SK海力士的HBM4『芯片』采用的是该公司第五代1b DRAM工艺，并用台积电12纳米逻辑『芯片』晶圆制造工艺来生产基板『芯片』。

值得一提的是，三星此次量产时间表的落地，使三星在与SK海力士等竞争对手的角逐中占得先机。行业消息人士称，“『三星电子』拥有全球最大产能和最广泛产品线，通过率先量产性能最高的HBM4证明了其技术竞争力。基于此，公司正处于引领市场的最有利位置。”

也有业内消息人士称，SK海力士可能会提供更大的供应量，因为人们普遍认为其生产稳定性更高，而三星则希望通过性能优势在市场中抢占先机。

（财联社 周子意）