『半导体』元件工业申请具有正交电压阻断结构的『半导体』器件专利，提供第一电荷平衡区(『半导体』厂)

国家知识产权局信息显示，『半导体』元件工业有限责任公司申请一项名为“具有正交电压阻断结构的『半导体』器件及制造『半导体』器件的方法”的专利，公开号CN121400087A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，一种『半导体』器件（10）包括：衬底（12）；在该衬底上方的具有第一导电类型的第一『半导体』区（14A）；以及在该第一『半导体』区上方的具有该第一导电类型的第二『半导体』区（14B）。沟槽栅极结构（280）位于该第二『半导体』区中。具有第二导电类型的第一掺杂区（22）位于该第一『半导体』区中，其中该第一掺杂区和该第一『半导体』区提供第一电荷平衡区（142）。具有该第二导电类型的第二掺杂区（23）位于该第二『半导体』区中并且插置在该沟槽栅极结构与该第一掺杂区之间。该第二掺杂区和该第二『半导体』区提供第二电荷平衡区（143）。第二掺杂区与沟槽栅极结构自对准。

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